一種基于硅直通孔的三維集成系統(tǒng)熱解析方法

一、成果基本信息

二、成果簡(jiǎn)介

    本發(fā)明公開(kāi)了一種基于硅直通孔的三維集成系統(tǒng)熱解析方法，它包括將三維集成系統(tǒng)分解成單個(gè)功率元胞，在該功率元胞中，考慮硅通孔橫向熱阻和縱向熱阻的影響，建立分段熱阻模型；根據(jù)基爾霍夫定律得出包含上下層芯片溫度的矩陣方程；根據(jù)傳熱學(xué)中熱阻表達(dá)方式，建立熱阻R1~R8的表達(dá)式；將熱阻R1~R8的表達(dá)式代入包含上下層芯片溫度的矩陣方程中求解關(guān)于溫度T的方程組，從而得到三維集成系統(tǒng)中各層芯片的溫升情況；解決了現(xiàn)有技術(shù)對(duì)維集成系統(tǒng)的熱解析采用一維熱阻模型，它只考慮三維集成系統(tǒng)的縱向傳熱而沒(méi)有考慮三維集成系統(tǒng)TSV的橫向熱阻問(wèn)題，使得三維集成系統(tǒng)的熱可靠性差等問(wèn)題。

三、成果轉(zhuǎn)化預(yù)期：

可為三維集成電路系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和制造提供理論指導(dǎo)，幫助提高三維集成電路的質(zhì)量和可靠性。

特別聲明

1.本公告僅對(duì)成果進(jìn)行推介，接受意向方咨詢(xún)與洽談，以上介紹中的內(nèi)容僅供參考。

2.貴州陽(yáng)光產(chǎn)權(quán)交易所通過(guò)自身網(wǎng)站及相關(guān)媒體發(fā)布的項(xiàng)目信息并不構(gòu)成貴州陽(yáng)光產(chǎn)權(quán)交易所對(duì)任何項(xiàng)目的任何交易建議。意向方應(yīng)不依賴(lài)于已披露的上述信息并自行對(duì)項(xiàng)目的相關(guān)情況進(jìn)行必要的盡職調(diào)查和充分了解。

項(xiàng)目聯(lián)系人 ：趙經(jīng)理  

聯(lián) 系 電 話(huà)：15085914974