一種在原料氧化情況下制備單一相高錳硅薄膜的工藝方法(預(yù)披露)
一種在原料氧化情況下制備單一相高錳硅薄膜的工藝方法
一、成果基本信息
成果基本信息 | 成果名稱 | 一種在原料氧化情況下制備單一相高錳硅薄膜的工藝方法 |
成果所屬單位 | 貴州大學(xué) | |
成果所屬領(lǐng)域 | 先進(jìn)制造與自動(dòng)化 | |
成果關(guān)鍵詞 | 原料氧化;磁控濺射;真空退火;高錳硅薄膜; | |
成果所屬學(xué)科 | 半導(dǎo)體材料 | |
交易方式 | 面議 |
二、成果簡介
本發(fā)明公開了一種在原料氧化情況下制備單一相高錳硅薄膜的工藝方法:以含有MnO的Mn靶材作為原料,在Si襯底上通過磁控濺射的方法制備薄膜,構(gòu)成“Si襯底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三層結(jié)構(gòu)樣品,進(jìn)而在真空條件下高溫退火?;谠摴に囖k法,通過控制“Si襯底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三層結(jié)構(gòu)中的Si薄膜中間層濺射時(shí)間,可以完全消除掉本來含量占比很大的MnO,獲得單一相的高錳硅薄膜材料。
三、成果轉(zhuǎn)化預(yù)期:
可顯著降低獲得高錳硅薄膜對(duì)原料、儲(chǔ)存及工藝條件的要求,使得高錳硅薄膜的制備更為簡單,產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)成本降低,生產(chǎn)效率得到提高。
特別聲明
1.本公告僅對(duì)成果進(jìn)行推介,接受意向方咨詢與洽談,以上介紹中的內(nèi)容僅供參考。
2.貴州陽光產(chǎn)權(quán)交易所通過自身網(wǎng)站及相關(guān)媒體發(fā)布的項(xiàng)目信息并不構(gòu)成貴州陽光產(chǎn)權(quán)交易所對(duì)任何項(xiàng)目的任何交易建議。意向方應(yīng)不依賴于已披露的上述信息并自行對(duì)項(xiàng)目的相關(guān)情況進(jìn)行必要的盡職調(diào)查和充分了解。
項(xiàng)目聯(lián)系人 :趙經(jīng)理
聯(lián) 系 電 話:15085914974